FF200R12KT4





FF200R12KT4 характеристики

БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 320 А, 1.75 В, 1.1 кВт, 1.2 кВ, Module.




Полярность Транзистора Двойной NPN
Ничего не выбрано
DC Ток Коллектора 320А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.75В
Рассеиваемая Мощность 1.1кВт
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Стиль Корпуса Транзистора Module
Количество Выводов 7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)

Вы можете купить FF200R12KT4 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 5 штук. Цена FF200R12KT4 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 51338.1 руб.



Сопутствующие товары
IC, DUAL IGBT DRIVER, PCB-40
от 22108.8 ₽
+33163.2 на ваш счёт