Силовой МОП-транзистор, N Канал, 4.9 А, 1.7 кВ, 0.95 Ом, 20 В, 2.4 В.
The C2M1000170D from Cree is a 2nd generation Z-FET, through hole N channel silicon carbide power MOSFET in TO-247 package. This MOSFET features C2M SiC MOSFET technology, high blocking voltage with low On resistance, high speed switching with low capacitances, easy to parallel and simple to drive, avalanche ruggedness, ultra low drain gate capacitance, higher system efficiency, reduced cooling requirements and increased system reliability. Applications include auxiliary power supplies, switch mode power supplies and high voltage capacitive loads.
C2M1000170D скачать
Вы можете купить C2M1000170D от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.
Доступно на складе 986 штук. Цена C2M1000170D зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 2118.3 руб.
C2M1000170D
Отправить заявку
Альтернативное предложение
