Силовой МОП-транзистор, N Канал, 31.6 А, 1.2 кВ, 0.08 Ом, 20 В, 3.2 В.
The C2M0080120D from Cree is a 2nd generation Z-FET, through hole N channel silicon carbide power MOSFET in TO-247 package. This MOSFET features C2M SiC MOSFET technology, high blocking voltage with low On resistance, high speed switching with low capacitances, easy to parallel and simple to drive, avalanche ruggedness, resistant to latch up, higher system efficiency, reduced cooling requirements and increased power density. Applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC-DC converters and battery chargers.
C2M0080120D скачать
Вы можете купить C2M0080120D от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.
Доступно на складе 1054 штук. Цена C2M0080120D зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 8211 руб.
C2M0080120D
Отправить заявку
Альтернативное предложение
