Отправить заявку
Доступно
По запросу
Срок поставки
По запросу
Производитель
STGD5NB120SZT4
Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.
Альтернативное предложение
Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽
STGD5NB120SZT4 характеристики
БТИЗ транзистор, 10 А, 1.2 кВ, 75 Вт, 1.2 кВ, TO-252, 3 вывод(-ов).
The STGD5NB120SZT4 is a 1200V Low Drop Internally Clamped IGBT that utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is ideal for use in inrush current limitation and pre-heating for electronic lamp ballast. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.
подробнее
Техническое описание
STGD5NB120SZT4 скачать
Pdf, 3.97 KB
Вы можете купить STGD5NB120SZT4 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.
Цену STGD5NB120SZT4 и наличие сообщим по вашему запросу.
Сопутствующие товары
Изолированный DC/DC преобразователь, привод затвора, THT, 2Вт, 15В, 80мА, -8.7В, 40мА
от 1910.37 ₽
+7163.89 на ваш счёт
Изолированный DC/DC преобразователь, медицинский, SMD, 3Вт, 15В, 120мА, 5В, 120мА, 5В, 120мА
от 4248.09 ₽
+31860.68 на ваш счёт
;;2.jpg)
