8 (800)  200-43-23 Перезвоните мне
Корзина
Нет товаров
Поиск товаров, например: RC0603JR-076R2L
Отправить заявку

2N7002ET1G



Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.



Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


2N7002ET1G характеристики

МОП-транзистор, N Канал, 310 мА, 60 В, 0.86 Ом, 10 В, 1 В.



The 2N7002ET1G is a N-channel small signal MOSFET in Trench technology and low drain to source voltage. Suitable for low side load switch and level shift circuits.


Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность 420мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.86Ом
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 1В
Непрерывный Ток Стока 310мА

Техническое описание

Вы можете купить 2N7002ET1G от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 582003 штук. Цена 2N7002ET1G зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 11.21 руб.