2N7002ET1G

Доступно
294218 шт
Срок поставки
4 недели
Цена
включает НДС
Производитель
Количество
Цена ₽/шт


  • 1+ 50.6
  • 100+ 19.28
  • 1000+ 12.39
  • 6000+ 9.15

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 50.6 ₽

+
-
В корзину


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


2N7002ET1G характеристики

МОП-транзистор, N Канал, 310 мА, 60 В, 0.86 Ом, 10 В, 1 В.



The 2N7002ET1G is a N-channel small signal MOSFET in Trench technology and low drain to source voltage. Suitable for low side load switch and level shift circuits.


Полярность Транзистора N Канал
Ничего не выбрано
Непрерывный Ток Стока 310мА
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.86Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 420мВт
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный

Техническое описание

Вы можете купить 2N7002ET1G от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 294218 штук. Цена 2N7002ET1G зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 9.15 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры
Сопутствующие товары
Переходник, SMD, стеклоэпоксидный композит, 1.5мм, 13.5мм x 23.5мм
от 1814.01 ₽
+272 на ваш счёт