IXRFD630

Доступно
По запросу
Срок поставки
Производитель

По запросу

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


IXRFD630 характеристики

DRIVER, MOSFET, 30A, DE275.



The IXRFD630 is a CMOS high speed, high-current Gate Driver, specifically designed to drive MOSFETs in class D and E HF RF applications as well as other applications requiring ultrafast rise and fall times or short minimum pulse widths. The IXRFD630 can source and sink 30A of peak current while producing voltage rise and fall times of less than 4ns and minimum pulse widths of 8ns. The input of the driver is compatible with TTL or CMOS and is fully immune to latch up over the entire operating range. Designed with small internal delays, cross conduction or current shoot-through is virtually eliminated. The features and wide safety margin in operating voltage and power make the IXRFD630 unmatched in performance and value. The surface mount IXRFD630 is packaged in a low inductance RF package incorporating advanced layout techniques to minimize stray lead inductances for optimum switching performance.

подробнее

Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (15-Jun-2015)
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Упаковка Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) -
Максимальное Напряжение Питания 30В
Минимальное Напряжение Питания
Стиль Корпуса Привода -
Конфигурация Привода
Задержка по Входу 21нс
Задержка Выхода 23нс
Пиковый Выходной Ток 30А

Техническое описание

Вы можете купить IXRFD630 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену IXRFD630 и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры
Сопутствующие товары
РЧ полевой транзистор, 200 В, 25 А, 590 Вт, 100 МГц, DE-275
от ₽
+0 на ваш счёт