SIHB15N60E-GE3

Доступно
1347 шт
Срок поставки
4 недели
Цена
включает НДС
Производитель
Количество
Цена ₽/шт


  • 1+ 947.1
  • 10+ 622.55
  • 100+ 438.25
  • 500+ 359.57

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 947.1 ₽

+
-
В корзину


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


SIHB15N60E-GE3 характеристики

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 600 В, 0.23 Ом, 10 В, 2 В.




Линия Продукции E Series
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора TO-263
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность 180Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.23Ом
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Непрерывный Ток Стока 15А

Техническое описание

Вы можете купить SIHB15N60E-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 1347 штук. Цена SIHB15N60E-GE3 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 359.57 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры
Сопутствующие товары
Двойной драйвер МОП-транзистора, полумостовой, питание 10В-20В, 360мА, 150нс, DIP-8
от 476.37 ₽
+115 на ваш счёт
Двойной драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, 10В-20В, 360мА, 150нс, SOIC-8
от 313.31 ₽
+80 на ваш счёт
Двойной драйвер, высокой стороны и низкой стороны, питание 10В-20В, 350мА, задержка 200нс, SOIC-14
от ₽
+0 на ваш счёт