SIHP8N50D-GE3

Запросить




SIHP8N50D-GE3 характеристики

МОП-транзистор, N Канал, 8.7 А, 500 В, 0.7 Ом, 10 В, 3 В.



The SIHP8N50D-GE3 is a 500V N-channel high voltage MOSFET with low area specific on-resistance and low input capacitance. This D series MOSFET is used in displays, server and telecom power supply applications.

подробнее

Полярность Транзистора N Канал
Ничего не выбрано
Непрерывный Ток Стока 8.7А
Напряжение Истока-стока Vds 500В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.7Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 156Вт
Стиль Корпуса Транзистора TO-220AB
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Линия Продукции D Series
SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) -

Техническое описание

Вы можете купить SIHP8N50D-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену SIHP8N50D-GE3 и наличие сообщим по вашему запросу.