8 (800)  200-43-23 Перезвоните мне
Корзина
Нет товаров
Поиск товаров, например: 0603SAJ0102T5E
Отправить заявку

SI7617DN-T1-GE3



Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.



Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


SI7617DN-T1-GE3 характеристики

МОП-транзистор, P Канал, -35 А, -30 В, 0.0103 Ом, -10 В, -2.5 В.



The SI7617DN-T1-GE3 is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in notebook battery charging and adapter switch applications. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.

подробнее

Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (15-Jun-2015)
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора PowerPAK 1212
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность 52Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0103Ом
Напряжение Истока-стока Vds -30В
Напряжение Измерения Rds(on) -10В
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs -2.5В
Непрерывный Ток Стока -35А

Техническое описание

Вы можете купить SI7617DN-T1-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 176012 штук. Цена SI7617DN-T1-GE3 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 109.99 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры