FRAM, 1M, PARALLEL, 3V, 48TSOP.
The MB85R1001ANC-GE1 is a 1MB Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) chip consisting of 131072 words x 8-bit of nonvolatile memory cells fabricated using ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies. The MB85R1001A is able to retain data without using a back-up battery, as is needed for SRAM. The memory cells used in the MB85R1001A can be used for 10?? read/write operations, which is a significant improvement over the number of read and write operations supported by flash memory and E?PROM. The MB85R1001A uses a pseudo-SRAM interface that is compatible with conventional asynchronous SRAM.
MB85R1001ANC-GE1 скачать
Вы можете купить MB85R1001ANC-GE1 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.
Доступно на складе 1998 штук. Цена MB85R1001ANC-GE1 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 2090.7 руб.
MB85R1001ANC-GE1
Отправить заявку
Альтернативное предложение
