8 (800)  200-43-23 Перезвоните мне
Корзина
Нет товаров
Поиск товаров, например: RC0603JR-07160KL
Отправить заявку

MB85R1001ANC-GE1



Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке и получить баллы.

Доступно
1996 шт
Срок поставки
4 недели
Цена
включает НДС
Производитель
Количество
Цена ₽/шт


  • 1+ 2575.65
  • 10+ 2285.28
  • 25+ 2179.16
  • 40+ 2126.59

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2575.65 ₽

+
-
В корзину


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


MB85R1001ANC-GE1 характеристики

FRAM, 1M, PARALLEL, 3V, 48TSOP.



The MB85R1001ANC-GE1 is a 1MB Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) chip consisting of 131072 words x 8-bit of nonvolatile memory cells fabricated using ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies. The MB85R1001A is able to retain data without using a back-up battery, as is needed for SRAM. The memory cells used in the MB85R1001A can be used for 10?? read/write operations, which is a significant improvement over the number of read and write operations supported by flash memory and E?PROM. The MB85R1001A uses a pseudo-SRAM interface that is compatible with conventional asynchronous SRAM.

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Ничего не выбрано
Количество Выводов 48вывод(-ов)
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Упаковка Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3 - 168 часов
Максимальное Напряжение Питания 3.6В
Минимальное Напряжение Питания 3В
Размер Памяти 1Мбит
Тип Интерфейса ИС Параллельный
Время Доступа 100нс
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TSOP
Конфигурация Памяти NVRAM 128К x 8бит

Техническое описание

Вы можете купить MB85R1001ANC-GE1 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 1996 штук. Цена MB85R1001ANC-GE1 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 2126.59 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры