8 (800)  200-43-23 Перезвоните мне
Корзина
Нет товаров
Поиск товаров, например: ERJ2RKF1212X
Отправить заявку

MB85RS128APNF-G-JNE1



Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


MB85RS128APNF-G-JNE1 характеристики

FRAM, 128K, SPI, 3V, 8SOP.



The MB85RS128APNF-G-JNE1 is a 128kB SPI Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) chip in a configuration of 16384 words x 8-bit, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. The MB85RS128A is able to retain data without using a back-up battery, as is needed for SRAM. The memory cells used in the MB85RS128A can be used for 10?? read/write operations, which is a significant improvement over the number of read and write operations supported by flash memory and E?PROM. MB85RS128A does not take long time to write data unlike Flash memories nor E?PROM and MB85RS128A takes no wait time.

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Ничего не выбрано
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Упаковка Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3 - 168 часов
Максимальное Напряжение Питания 3.6В
Минимальное Напряжение Питания 3В
Размер Памяти 128Кбит
Тип Интерфейса ИС SPI
Время Доступа -
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти SOIC
Конфигурация Памяти NVRAM 16К x 8бит

Техническое описание

Вы можете купить MB85RS128APNF-G-JNE1 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену MB85RS128APNF-G-JNE1 и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры