8 (800)  200-43-23 Перезвоните мне
Корзина
Нет товаров
Поиск товаров, например: CC0402KRX5R6BB104
Отправить заявку

DMG6602SVT

DMG6602SVT


Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке и получить баллы.

Доступно
45202 шт
Срок поставки
4 недели
Цена
включает НДС
Производитель
Количество
Цена ₽/шт


  • 5+ 62.19
  • 100+ 19.6
  • 1000+ 15.73

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 62.19 ₽

+
-
В корзину


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


DMG6602SVT характеристики

Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 3.4 А, 30 В, 0.038 Ом, 10 В, 1 В.



The DMG6602SVT from Diode Inc is a surface mount complementary pair enhancement mode MOSFET in TSOT-26 package. This MOSFET features low input capacitance, fast switching speed and low input/output leakage, designed to minimize the onstate resistance and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications and backlighting.

подробнее

Полярность Транзистора N и P Канал
Ничего не выбрано
Непрерывный Ток Стока 3.4А
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.038Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs 1В
Рассеиваемая Мощность 1.12Вт
Стиль Корпуса Транзистора TSOT-26
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) -

Вы можете купить DMG6602SVT от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 45202 штук. Цена DMG6602SVT зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 15.73 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры
Сопутствующие товары
IR2117SPBF IR2117SPBF
INFINEON
ИС МОП-транзистора, высокой стороны, питание 10В-20В, 500мА на выходе, задержка 105нс, SOIC-8
от 209.98 ₽
+42 на ваш счёт