Авторизуйтесь и заберите в личном кабинете промокод на скидку 10%

2ED020I12-FI

Доступно
17634 шт
Срок поставки
4 недели
Цена
включает НДС
Производитель
Количество
Цена ₽/шт


  • 1+ 612.86
  • 10+ 550.37
  • 100+ 451.58
  • 250+ 427.39

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 612.86 ₽

+
-
В корзину


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


2ED020I12-FI характеристики

IC, IGBT DRIVER, DUAL, PG-DSO-18-2.



The 2ED020I12-FI is a 2-channel high voltage high speed power MOSPET and IGBT Driver with CT technology and interlocking high and low-side referenced outputs. The floating high-side driver may be supplied directly or by means of a bootstrap diode and capacitor. In addition to the logic input of each driver is equipped with a dedicated shutdown input. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. This driver is designed to drive an N-channel power IGBT which operate up to 1.2kV.

подробнее

Конфигурация Привода Высокая Сторона
Ничего не выбрано
Пиковый Выходной Ток
Минимальное Напряжение Питания 14В
Максимальное Напряжение Питания 18В
Стиль Корпуса Привода SOIC
Количество Выводов 18вывод(-ов)
Задержка по Входу 85нс
Задержка Выхода 85нс
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Упаковка Разрезная Лента
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) -

Вы можете купить 2ED020I12-FI от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 17634 штук. Цена 2ED020I12-FI зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 427.39 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры