SI2308BDS-T1-GE3

Доступно
287084 шт
Срок поставки
4 недели
Цена
включает НДС
Производитель
Количество
Цена ₽/шт


  • 1+ 144.21
  • 100+ 78.18
  • 1000+ 53.13
  • 9000+ 37.95

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 144.21 ₽

+
-
В корзину


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


SI2308BDS-T1-GE3 характеристики

МОП-транзистор, N Канал, 2.3 А, 60 В, 0.13 Ом, 10 В, 3 В.



The SI2308BDS-T1-GE3 is a N-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.


Полярность Транзистора N Канал
Ничего не выбрано
Непрерывный Ток Стока 2.3А
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.13Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 1.09Вт
Стиль Корпуса Транзистора TO-236
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (15-Jun-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный

Техническое описание

Вы можете купить SI2308BDS-T1-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 287084 штук. Цена SI2308BDS-T1-GE3 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 37.95 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры
Сопутствующие товары
Печатная плата, мультиадаптор, стеклоэпоксидный композит, 1.5мм, 22.86мм x 46.72мм
от 1127.28 ₽
+191 на ваш счёт
Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.3 А, 60 В, 46 мОм, 10 В, 2.5 В
от 93.63 ₽
+52 на ваш счёт