FD150R12RT4

Доступно
По запросу
Срок поставки
Производитель

По запросу

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


FD150R12RT4 характеристики

БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 150 А, 1.75 В, 790 Вт, 1.2 кВ.



The FD150R12RT4 is a 34mm IGBT Module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diodes. Isolated base plate with standard housing, optimal electrical performance and VCEsat with positive temperature coefficient.

подробнее

Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Количество Выводов 5вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора -
Рассеиваемая Мощность 790Вт
Полярность Транзистора N Канал
DC Ток Коллектора 150А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.75В
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ

Вы можете купить FD150R12RT4 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену FD150R12RT4 и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры