Добавить в корзину 1 шт. на сумму 709.17 ₽
БТИЗ транзистор, 30 А, 2.4 В, 187 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов).
The IKW30N60H3 is a 600V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel diode designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behaviour and thus leading to low turn off losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.
Вы можете купить IKW30N60H3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.
Доступно на складе 3547 штук. Цена IKW30N60H3 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 480.48 руб.
IKW30N60H3
Отправить заявку
Альтернативное предложение
