8 (800)  200-43-23 Перезвоните мне
Корзина
Нет товаров
Поиск товаров, например: CC0402JRNPO9BN560
Отправить заявку

SI8461DB-T2-E1

SI8461DB-T2-E1


Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

Доступно
По запросу
Срок поставки
Производитель

По запросу

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


SI8461DB-T2-E1 характеристики

P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.7A.




Полярность Транзистора P Channel
Ничего не выбрано
Непрерывный Ток Стока -3.7А
Напряжение Истока-стока Vds -20В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.1Ом
Напряжение Измерения Rds(on) -4.5В
Пороговое Напряжение Vgs -1В
Рассеиваемая Мощность 780мВт
Стиль Корпуса Транзистора TrenchFET
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Unlimited

Вы можете купить SI8461DB-T2-E1 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену SI8461DB-T2-E1 и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры