SI2309CDS-T1-GE3

Доступно
32935 шт
Срок поставки
4 недели
Цена
включает НДС
Производитель
Количество
Цена ₽/шт


  • 1+ 187.11
  • 100+ 75.33
  • 1000+ 51.84
  • 6000+ 40.89

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 187.11 ₽

+
-
В корзину


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


SI2309CDS-T1-GE3 характеристики

МОП-транзистор, P Канал, -1.6 А, -60 В, 285 мОм, -10 В, -1 В.



The SI2309CDS-T1-GE3 is a P-Channel 60V Power MOSFET with ±20V gate source voltage. It works on TrenchFET® power MOSFET technology.


Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) -
Рассеиваемая Мощность 1.7Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.285Ом
Напряжение Истока-стока Vds -60В
Напряжение Измерения Rds(on) -10В
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs -1В
Непрерывный Ток Стока -1.6А

Техническое описание

Вы можете купить SI2309CDS-T1-GE3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 32935 штук. Цена SI2309CDS-T1-GE3 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 40.89 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры