8 (800)  200-43-23 Перезвоните мне
Корзина
Нет товаров
Поиск товаров, например: CL05B332KB5NNNC
Отправить заявку

1752117



Изображение дано только в качестве иллюстрации.
Ознакомьтесь c описанием продукта. Сообщить об ошибке.

Доступно
579 шт
Срок поставки
4 недели
Цена
включает НДС
Производитель
Количество
Цена ₽/шт


  • 1+ 485.76
  • 10+ 464.76
  • 50+ 452.11
  • 100+ 422.51

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 485.76 ₽

+
-
В корзину


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


1752117 характеристики

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 600 В, 8 Ом, 10 В, 3 В.



The STN1HNK60 is a 600V N-channel SuperMESH™ MOSFET with extreme optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.

подробнее

SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (14-Jun-2023)
Ничего не выбрано
Номинальное Напряжение 200В
Поперечное Сечение Проводника 1.5мм²
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора SOT-223
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Шаг Контактов 3.5мм
Максимальный Размер Провода AWG 16AWG
Количество Положений 3вывод(-ов)
Минимальный Размер Провода AWG 24AWG
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs 3В
Непрерывный Ток Стока 500мА
Номинальный Ток 9А
Положение Блока Сквозное Отверстие 25°
Способ Подключения Провода Вставной
Линейка Продукции Серия SPTA
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 8Ом
Монтаж транзистора Surface Mount
Power Dissipation 3.3Вт

Вы можете купить 1752117 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 579 штук. Цена 1752117 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 422.51 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры