M29W320EB70ZE6E

Доступно
По запросу
Срок поставки
Производитель

По запросу

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


M29W320EB70ZE6E характеристики

Флеш память, блок загрузки, NOR, 32 Мбит, 4М x 8бит / 2М x 16бит, CFI, Параллельный, TFBGA.



The M29W320EB70ZE6E is a 32MB non-volatile Flash Memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage 2.7 to 3.6V supply. On power-up the memory defaults to its Read mode. The M29W320E has an array of 8 parameter and 63 main blocks. M29W320EB locates the parameter blocks starting from the bottom. M29W320E has an extra 32K word (x16 mode) or 64 Kbyte (x8 mode) block, the extended block that can be accessed using a dedicated command. The extended block can be protected and so is useful for storing security information. However the protection is irreversible, once protected the protection cannot be undone. Each block can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased. The blocks can be protected to prevent accidental program or erase commands from modifying the memory. Program and erase commands are written to the command interface of the memory.

подробнее

Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Количество Выводов 48вывод(-ов)
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Упаковка Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3 - 168 часов
Максимальное Напряжение Питания 3.6В
Минимальное Напряжение Питания 2.7В
Размер Памяти 32Мбит
Тип Интерфейса ИС CFI, Параллельный
Тип Памяти Флэш - Boot Block
Тактовая Частота -
Время Доступа 70нс
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TFBGA
Конфигурация Флэш-памяти 4М x 8бит / 2М x 16бит

Вы можете купить M29W320EB70ZE6E от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену M29W320EB70ZE6E и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры