2MBI100U4A-120-50

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


2MBI100U4A-120-50 характеристики

БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 150 А, 2.2 В, 540 Вт, 1.2 кВ, Module.



The 2MBI100U4A-120-50 is a N-channel IGBT Array and Module Transistor, 1200V collector-emitter voltage and 540W collector power dissipation.


Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Количество Выводов 7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Стиль Корпуса Транзистора Module
Рассеиваемая Мощность 540Вт
Полярность Транзистора N Канал
DC Ток Коллектора 150А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 2.2В
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ

Вы можете купить 2MBI100U4A-120-50 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену 2MBI100U4A-120-50 и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры