CY7C185-20PXC

Доступно
По запросу
Срок поставки
Производитель

По запросу

Запросить


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


CY7C185-20PXC характеристики

IC, SRAM, 64K, 8KX8, 20NS, DIP28.



The CY7C185-20PXC is a 64kB high-performance CMOS Static Random Access Memory (SRAM) organized as 8192 words by 8-bit. Easy memory expansion is provided by an active LOW chip enable, an active HIGH chip enable and active LOW output enable and tri-state drivers. This device has an automatic power-down feature, reducing the power consumption by 70% when deselected. An active LOW write enable signal controls the writing/reading operation of the memory. When CE1 and WE inputs are both LOW and CE2 is HIGH, data on the eight data input/output pins is written into the memory location addressed by the address present on the address pins. Reading the device is accomplished by selecting the device and enabling the outputs, CE1 and OE active LOW, CE2 active HIGH, while WE remains inactive or HIGH. Under these conditions, the contents of the location addressed by the information on address pins are present on the eight data input or output pins.

подробнее

Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Количество Выводов 28вывод(-ов)
Минимальная Рабочая Температура 0°C
Максимальная Рабочая Температура 70°C
Упаковка Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) -
Максимальное Напряжение Питания 5.5В
Минимальное Напряжение Питания 4.5В
Размер Памяти 64Кбит
Время Доступа 20нс
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти DIP
Конфигурация Памяти SRAM 8К x 8бит

Техническое описание

Вы можете купить CY7C185-20PXC от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену CY7C185-20PXC и наличие сообщим по вашему запросу.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры