IRS23364DJPBF

Запросить




IRS23364DJPBF характеристики

Микросхема драйвера, высокой стороны и низкой стороны, питание 11.5В-20В, 350мА, задержка 530нс.



The IRS23364DJPBF is a 3-phase high voltage high speed power MOSFET and IGBT Gate Driver IC with three high-side and three low-side referenced output channels for 3-phase applications. This IC is designed to be used with low-cost bootstrap power supplies the bootstrap diode functionality has been integrated into this device to reduce the component count and the PCB size. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies have been implemented in a rugged monolithic structure. The floating logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V logic. A current trip function which terminates all six outputs can be derived from an external current sense resistor. Enable functionality is available to terminate all six outputs simultaneously. An open-drain FAULT signal is provided to indicate that a fault has occurred. Fault conditions are cleared automatically after a delay programmed externally via an RC network connected to the RCIN input.

подробнее

Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Количество Выводов 44вывод(-ов)
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Упаковка Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) -
Максимальное Напряжение Питания 20В
Минимальное Напряжение Питания 11.5В
Стиль Корпуса Привода LCC
Конфигурация Привода Высокая Сторона и Низкая Сторона
Задержка по Входу 530нс
Задержка Выхода 530нс
Пиковый Выходной Ток 350мА

Техническое описание

Вы можете купить IRS23364DJPBF от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену IRS23364DJPBF и наличие сообщим по вашему запросу.