SI4431BDY-T1-E3





SI4431BDY-T1-E3 характеристики

МОП-транзистор, P Канал, 5.8 А, -30 В, 0.023 Ом, -10 В, -1 В.



The SI4431BDY-T1-E3 is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET with advance high density process. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

подробнее

Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (15-Jun-2015)
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность 2.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.023Ом
Напряжение Истока-стока Vds -30В
Напряжение Измерения Rds(on) -10В
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs -1В
Непрерывный Ток Стока 5.8А

Техническое описание

Вы можете купить SI4431BDY-T1-E3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 1469 штук. Цена SI4431BDY-T1-E3 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 162.21 руб.