SI4800BDY-T1-E3





SI4800BDY-T1-E3 характеристики

N CHANNEL MOSFET, 30V, 9A, SOIC.




Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Unlimited
Рассеиваемая Мощность 800мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0185Ом
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Полярность Транзистора N Channel
Пороговое Напряжение Vgs 1.8В
Непрерывный Ток Стока

Техническое описание

Вы можете купить SI4800BDY-T1-E3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 1579 штук. Цена SI4800BDY-T1-E3 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 110.15 руб.