SI4925BDY-T1-E3

Запросить




SI4925BDY-T1-E3 характеристики

DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC.




Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Unlimited
Рассеиваемая Мощность 1.1Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.025Ом
Напряжение Истока-стока Vds -30В
Напряжение Измерения Rds(on) -10В
Полярность Транзистора Dual P Channel
Пороговое Напряжение Vgs -1В
Непрерывный Ток Стока -7.1А

Техническое описание

Вы можете купить SI4925BDY-T1-E3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Цену SI4925BDY-T1-E3 и наличие сообщим по вашему запросу.