SI2323DS-T1-E3





SI2323DS-T1-E3 характеристики

МОП-транзистор, P Канал, -4.7 А, -20 В, 39 мОм, -4.5 В, -1 В.



The SI2323DS-T1-E3 is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 1.25W.


Полярность Транзистора P Канал
Ничего не выбрано
Непрерывный Ток Стока -4.7А
Напряжение Истока-стока Vds -20В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.039Ом
Напряжение Измерения Rds(on) -4.5В
Пороговое Напряжение Vgs -1В
Рассеиваемая Мощность 1.25Вт
Стиль Корпуса Транзистора TO-236
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Линия Продукции -
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (15-Jun-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный

Техническое описание

Вы можете купить SI2323DS-T1-E3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 3904 штук. Цена SI2323DS-T1-E3 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 164.25 руб.