SI2315BDS-T1-E3





SI2315BDS-T1-E3 характеристики

МОП-транзистор, P Канал, -3 А, -12 В, 0.04 Ом, -4.5 В, -900 мВ.



The SI2315BDS-T1-E3 is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 750mW.


Линия Продукции -
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (15-Jun-2015)
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность 750мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.04Ом
Напряжение Истока-стока Vds -12В
Напряжение Измерения Rds(on) -4.5В
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs -900мВ
Непрерывный Ток Стока -3А

Техническое описание

Вы можете купить SI2315BDS-T1-E3 от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 5098 штук. Цена SI2315BDS-T1-E3 зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 89.38 руб.