MMBT5551LT1G

Доступно
487805 шт
Срок поставки
4 недели
Цена
включает НДС
Производитель
Количество
Цена ₽/шт


  • 1+ 37.95
  • 100+ 14.72
  • 1000+ 9.36
  • 6000+ 6.82

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 37.95 ₽

+
-
В корзину


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


MMBT5551LT1G характеристики

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 160 В, 225 мВт, 600 мА, 80 hFE.



The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.

подробнее

Линия Продукции MMBTxxxx Series
Ничего не выбрано
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Рассеиваемая Мощность 225мВт
Полярность Транзистора NPN
DC Ток Коллектора 600мА
Напряжение Коллектор-Эмиттер 160В
DC Усиление Тока hFE 80hFE
Частота Перехода ft -

Техническое описание

Вы можете купить MMBT5551LT1G от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 487805 штук. Цена MMBT5551LT1G зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 6.82 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры
Сопутствующие товары
Печатная плата, мультиадаптор, стеклоэпоксидный композит, 1.5мм, 22.86мм x 46.72мм
от 1206.81 ₽
+204 на ваш счёт
REEL RACK, SMD, 25TO330MM REELS
от ₽
+0 на ваш счёт
REEL RACK, SMD, ESD, 25TO330MM REELS
от 44527.08 ₽
+7986 на ваш счёт