TC4426ACOA

Доступно
654 шт
Срок поставки
4 недели
Цена
включает НДС
Производитель
Количество
Цена ₽/шт


  • 1+ 374.22
  • 25+ 311.85
  • 100+ 281.82

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 374.22 ₽

+
-
В корзину


Бесплатная доставка заказов от 5000 ₽


TC4426ACOA характеристики

Двойной драйвер МОП-транзистора, драйвер, низкой стороны, питание 4.5В-18В, 1.5А, 30нс, SOIC-8.



The TC4426ACOA is a 1.5A dual inverting high-speed Power MOSFET Driver for pulse transformer drive. The TC4426A device has matched leading and falling edge propagation delay times. The device is highly latch-up resistant under any conditions within their power and voltage ratings. It is not subject to damage when up to 5V of noise spiking (of either polarity) occurs on the ground pin. It can accept, without damage or logic upset, up to 500mA of reverse current (of either polarity) being forced back into their outputs. All terminals are fully protected against Electrostatic Discharge (ESD) up to 2kV. The TC4426A MOSFET driver can easily charge/discharge 1000pF gate capacitances in under 30ns. This device provides low enough impedances in both the on and off states to ensure the MOSFET's intended state will not be affected, even by large transients.

подробнее

Конфигурация Привода Низкая Сторона
Ничего не выбрано
Пиковый Выходной Ток 1.5А
Минимальное Напряжение Питания 4.5В
Максимальное Напряжение Питания 18В
Стиль Корпуса Привода SOIC
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Задержка по Входу 30нс
Задержка Выхода 30нс
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Упаковка Поштучно
Линия Продукции AEC-Q100
SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный

Техническое описание

Вы можете купить TC4426ACOA от 1 штуки. Работаем с частными лицами и с юридическими лицами по безналичному расчету.

Доступно на складе 654 штук. Цена TC4426ACOA зависит от объёма заказа, минимальная стоимость составляет 281.82 руб.



Похожие товары
Для поиска похожих товаров выбирайте приведенные выше параметры